回路保護分野におけるグローバルリーダー、リテルヒューズ・インク（本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社（本社：東京都港区）は、TVSダイオードの新シリーズ「SMTOAK2シリーズ」を11月中旬より発売します。
現在市販されている高出力用耐サージ対応のTVSダイオードの多くは、アキシャルリード型パッケージでの提供のみに限られています。しかし、コンパクトで2kA 8/20μsサージに対応する表面実装パッケージ「SMTOAK2シリーズ」により、電子機器の設計において、プリント基板（PCB）の省スペースを図りつつ、電圧過渡現象や過電圧に対するより強固な保護、雷保護システムを実現できるようになります。
また、高効率電源や大電流で高速のMOSFET/IGBT設計の世界的な流行や規制要件は、ますます需要が高まっています。これらの高速スイッチング設計には、誘導性キックバックに対する保護が必要ですが、高出力用の「SMTOAK2シリーズ」を採用すれば、基板の省スペースと組立時間の削減を図りながら、高い信頼性と堅牢性を実現した回路設計が可能になります。
同製品は、当社の国内販売代理店を通じて販売します。
■特長
●低クランプ電圧と高い耐サージ性能により、高コスト、大電流、高速のMOSFET/IGBT回路を誘導性キックバックから保護。
●SMTO-263小型表面実装パッケージは、SMTO-218表面実装製品に比べ50%の小型化を実現し、設計時にプリント基板の省スペース化を図りながらも強固な回路保護を実現。
●プリント基板の自動組立化に対応、時間とコストの削減に貢献。
■用途
情報通信技術（ICT）・医療・産業用のDC電源、高出力DCバスの保護、野ざらしの環境や過酷な環境で使用されるDC電源、スモールセル、マイクロセル、リモート無線装置（RRU）、ベースバンド装置（BBU）、出力密度の高いSiC、GANベースのDC/DCコンバータや電源 など、コンパクトなフットプリントで強固な保護を必要とする高出力密度アプリケーションに最適
■仕様
逆スタンドオフ電圧（VR） （Vso）：70
最小ブレイクダウン電圧（VBR@IT） （V）：78.2
最大ブレイクダウン電圧（VBR@IT） （V）：86.02
標準ブレイクダウン電圧（VBR@IT） （V）：82.11
最大逆リーク電流（Ir@Vso）（μA）：2
テスト電流（IT） （mA）：5
ピークパルス電流（Ipp） 8x20μs （A）：2000
最大クランプ電圧（Vc） （V）：130
片方向／双方向：双方向
最高温度（℃）：150
詳細については、「SMTOAK2シリーズ」の製品ページ（https://www.littelfuse.co.jp/products/tvs-diodes/high-power/smtoak2）をご覧ください。
リテルヒューズについて
Littelfuse, Inc.（本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）は、持続可能でつながりのある、より安全な世界を支援する、産業技術製造会社です。全世界で15か国以上に1万7,000の従業員を擁し、革新的で信頼のおけるソリューションを設計、提供すべくお客様とも連携しています。10万社以上のエンドカスタマーに製品を提供し、我々の製品は産業機械向け、輸送機械向け、電子業界向けなどの様々な市場において、どこでも、毎日使われています。弊社の詳細についてはリテルヒューズのウェブサイトlittelfuse.comをご覧ください。
本件に関するお問い合わせ
Littelfuseジャパン合同会社
担当：宗形
TEL：03-6435-0750、FAX：03-3453-5505
E-mail：tmunakata@littelfuse.com
また、高効率電源や大電流で高速のMOSFET/IGBT設計の世界的な流行や規制要件は、ますます需要が高まっています。これらの高速スイッチング設計には、誘導性キックバックに対する保護が必要ですが、高出力用の「SMTOAK2シリーズ」を採用すれば、基板の省スペースと組立時間の削減を図りながら、高い信頼性と堅牢性を実現した回路設計が可能になります。
同製品は、当社の国内販売代理店を通じて販売します。
■特長
●低クランプ電圧と高い耐サージ性能により、高コスト、大電流、高速のMOSFET/IGBT回路を誘導性キックバックから保護。
●SMTO-263小型表面実装パッケージは、SMTO-218表面実装製品に比べ50%の小型化を実現し、設計時にプリント基板の省スペース化を図りながらも強固な回路保護を実現。
●プリント基板の自動組立化に対応、時間とコストの削減に貢献。
■用途
情報通信技術（ICT）・医療・産業用のDC電源、高出力DCバスの保護、野ざらしの環境や過酷な環境で使用されるDC電源、スモールセル、マイクロセル、リモート無線装置（RRU）、ベースバンド装置（BBU）、出力密度の高いSiC、GANベースのDC/DCコンバータや電源 など、コンパクトなフットプリントで強固な保護を必要とする高出力密度アプリケーションに最適
■仕様
逆スタンドオフ電圧（VR） （Vso）：70
最小ブレイクダウン電圧（VBR@IT） （V）：78.2
最大ブレイクダウン電圧（VBR@IT） （V）：86.02
標準ブレイクダウン電圧（VBR@IT） （V）：82.11
最大逆リーク電流（Ir@Vso）（μA）：2
テスト電流（IT） （mA）：5
ピークパルス電流（Ipp） 8x20μs （A）：2000
最大クランプ電圧（Vc） （V）：130
片方向／双方向：双方向
最高温度（℃）：150
詳細については、「SMTOAK2シリーズ」の製品ページ（https://www.littelfuse.co.jp/products/tvs-diodes/high-power/smtoak2）をご覧ください。
リテルヒューズについて
Littelfuse, Inc.（本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）は、持続可能でつながりのある、より安全な世界を支援する、産業技術製造会社です。全世界で15か国以上に1万7,000の従業員を擁し、革新的で信頼のおけるソリューションを設計、提供すべくお客様とも連携しています。10万社以上のエンドカスタマーに製品を提供し、我々の製品は産業機械向け、輸送機械向け、電子業界向けなどの様々な市場において、どこでも、毎日使われています。弊社の詳細についてはリテルヒューズのウェブサイトlittelfuse.comをご覧ください。
本件に関するお問い合わせ
Littelfuseジャパン合同会社
担当：宗形
TEL：03-6435-0750、FAX：03-3453-5505
E-mail：tmunakata@littelfuse.com
