ams、オプトエレクトロニクス製品で"More Than Silicon"戦略を展開

amsのオプトエレクトロ二クス・ファウンドリに特化したプラットフォームは、先進の0.35um CMOS光プロセスを使用しています。このプラットフォームは、フロントエンド（デバイスレベルで）、バックエンド（ウェハ製造後の後処理工程）、パッケージ、およびアセンブリレベルにおける技術強化と開発を包括しています。

amsは現在、ファウンドリカスタマに、デバイスレベルで、PNダイオードを利用できるようにしています。そのため、カスタム仕様の波長（青色から近赤外線まで）に最適化された応答性、最小暗電流率、および高量子効率で非常に低電気容量と組み合わせたPINダイオードを提供します。

ウェハ製造工程のバックエンドにおいて、オプトエレクトロニクス・デバイスの性能は、CMOSウェハ上にさまざまコーティングを施すことで、さらに改善させることができます。amsは反射防止コーティング（ARC）ならびに干渉フィルタを導入しています。これらは複数の高透明酸化物スタックの形で適用され、高精度のエッジおよびバンドパスフィルタ（例：IR/UVブロック用）、正確な反射率を持つミラー、またはビームスプリッタの実現を可能にします。波長やスルーレートなどのフィルタ特性は、広い選択肢からお客様が指定することができます。さらに、お客様は、特定の波長に最適化された接着性カラーレイヤ（赤、緑、青）を適用することで、感光性デバイスの性能の最適化に役立てることができます。

コスト効率の良い透明プラスチックパッケージ（基板ベースまたはリードフレームベース）は、少ピン数ICに利用できます。透過率、水分レベル、温度範囲、および多ピン化を目的とした最適化を可能にする、ams独自のシリコン貫通電極（TSV）技術を用いた先進的な3D-WLCSPは、amsの光プラットフォームのパッケージレベルの強化を実現します。

amsの幅広いオプトエレクトロニクス・デバイス・タイプやバックエンドプロセスのポートフォリオにより、アナログ/ミックスドシグナル設計者は、集積回路における波長、量子効率、応答性、暗電流およびデバイス応答時間などの重要なパラメータを最適化することができます。

ams、フルサービス・ファウンドリ事業部門ジェネラルマネージャ、マーカス・ウクセのコメント：「レイアウトジェネレータ（Pcell）、高精度シミュレーションモデル、デザインルール、プロセスパラメータに含まれるすべてのダイオードは、amsのベンチマークプロセス・デザインキットであるhitkitにて提供されます。amsのファウンドリチームは、高度なオプトエレクトロニクスシステムを生み出す製品開発者と協業できることを光栄に思います。当社の専門的なコンサルティングサービスはもちろん、業界最高クラスの設計環境により、パートナは最小限の開発リスクや労力で、高性能オプトエレクトロニクス・ソリューションを短い開発期間で市場に投入することができます」

フルサービス・ファウンドリの総合的なサービスおよび技術ポートフォリオに関する詳しい情報は、こちらのサイトをご覧ください。www.ams.com/foundry

ams広報担当：神谷
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