本日（2015年6月15日）、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社（本社：東京都渋谷区、社長：神戸 肇、以下フェアチャイルド・ジャパンと略）は、エネルギー損失を30%削減した650V及び1200V 第4世代フィールドストップ（FS）IGBTを発表しました。産業機器および自動車分野での高速および中速スイッチングアプリケーションに特化した新しい設計技術を用いたものです。同時に強力なラッチアップ耐性を実現し、業界最高レベルの優れた耐久性と信頼性を有しています。 今回、PCIMアジア2015（6/24-26、上海）にて、いくつかのアプリケーションでのテスト結果とともに、その手法についての発表を行います。
*IGBT= Insulated Gate Bipolar Transistor（絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）
「メーカーの技術者は最先端のIGBTに大変関心を持っています。なぜなら、IGBTのスイッチング損失が削減されれば、彼らの製品の効率を高めることになるからです。また、電気自動車やソーラー電力システムから、高効率HVACアプリケーションや産業用インバーターに至るまで、電力損失の最小化は自ずと最高レベルの効率達成のための鍵となります。」と、IHS社のシニアアナリストのVictoria Fodale氏は語っています。
フェアチャイルドは、新しいセルフアラインド・コンタクト技術を用いた高密度ピッチ、セルフバランス・セル構造を採用し、非常に高い電流密度と、－40度から＋175度の全温度範囲にわたる非常に優れたダイナミックスイッチング特性を実現しています。この新しい設計技術により、お客様は低飽和電圧（Vce（sat） = ～1.65V）と低スイッチング損失（Eoff = 5uJ/A）の卓越したトレードオフ性能を備えた第4世代フィールドストップIGBTを用いて、より高いシステム効率を達成することが可能になります。さらにこの新世代製品の発表に伴い、フェアチャイルドは、すべての低電圧および高電圧のパワーデバイス向けに最適化した、高効率設計とシミュレーションを実現する基本パッケージを提供いたします。
「フェアチャイルドの新技術には、非常に微細なセルピッチ設計により可能となる極度に高い電子注入効率、および新しいバッファー構造により制限される正孔キャリア注入、などが含まれます。これらの技術革新は特性上の優位性を著しくもたらすと同時に、弊社IGBTによる多大な電力の効率的な制御の実現という、フェアチャイルドがメーカーの技術者の方々に提供する新たな解決策です。」と、フェアチャイルド社フェローのThomas Neyerは語っています。
PCIMアジア2015での6/25（木）12:30-14:00のポスターセッションにおいて、フェアチャイルドによる以下の2つのIGBT関連の技術発表が行われます。
=「高性能で高いラッチアップ耐性を持った第4世代のフィールドストップ（FS）IGBT」（発表者：Kevin Lee
=「インダクティブ負荷スイッチングにおける小電流ターンオフ時のフィールドストップ（FS）IGBTのVCE電圧の変化に対する考察」（発表者：Rafael Lim）
フェアチャイルドの第4世代フィールドストップ（FS） IGBT製品ファミリーの詳細は、2015年第4四半期に明らかにされます。弊社の第4世代フィールドストップ（FS） IGBT技術のホワイトペーパー（技報）を含んだ、より詳しい技術・製品情報に関しては、弊社IGBT製品情報のページでご覧いただけます。
https://info.fairchildsemi.com/FY15M05-PR-IGBT_Technology_Announcement-2-IGBT_Product_Page.html
フェアチャイルドとフェアチャイルドジャパンにつきまして：
フェアチャイルドには半導体業界におけるパイオニアとしての長い歴史があり、そのパイオニア精神は、クリーンかつスマートな世界を目指した当社のビジョンの中に今日まで受け継がれています。 低～高電力ソリューションへの幅広い製品群の開発と製造に特化し、モバイル、産業機器、クラウド、自動車、照明ならびにコンピューターのエンジニアやシステム設計者の方々に卓越した設計ソリューションをお届けしています。フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社は1997年2月設立。 2015年1月より、神戸 肇が代表取締役を務めると同時に米国本社への直轄体制となりました。「Power to Amaze」に満ちたフェアチャイルドの新しいウェブサイトについては、こちらをご覧ください:http://www.fairchildsemi.co.jp
報道関係からのお問い合せ:
高瀬 健男 TEL: 03-6367-9191 携帯: 080-9297-1653 takeo.takase@fairchildsemi.com
畑 博美 TEL: 03-6367-9136 hiromi.hata@fairchildsemi.com
フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社
〒150-0013 東京都渋谷区 恵比寿 4-1-18 恵比寿ネオナート3階
以上
*IGBT= Insulated Gate Bipolar Transistor（絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）
「メーカーの技術者は最先端のIGBTに大変関心を持っています。なぜなら、IGBTのスイッチング損失が削減されれば、彼らの製品の効率を高めることになるからです。また、電気自動車やソーラー電力システムから、高効率HVACアプリケーションや産業用インバーターに至るまで、電力損失の最小化は自ずと最高レベルの効率達成のための鍵となります。」と、IHS社のシニアアナリストのVictoria Fodale氏は語っています。
フェアチャイルドは、新しいセルフアラインド・コンタクト技術を用いた高密度ピッチ、セルフバランス・セル構造を採用し、非常に高い電流密度と、－40度から＋175度の全温度範囲にわたる非常に優れたダイナミックスイッチング特性を実現しています。この新しい設計技術により、お客様は低飽和電圧（Vce（sat） = ～1.65V）と低スイッチング損失（Eoff = 5uJ/A）の卓越したトレードオフ性能を備えた第4世代フィールドストップIGBTを用いて、より高いシステム効率を達成することが可能になります。さらにこの新世代製品の発表に伴い、フェアチャイルドは、すべての低電圧および高電圧のパワーデバイス向けに最適化した、高効率設計とシミュレーションを実現する基本パッケージを提供いたします。
「フェアチャイルドの新技術には、非常に微細なセルピッチ設計により可能となる極度に高い電子注入効率、および新しいバッファー構造により制限される正孔キャリア注入、などが含まれます。これらの技術革新は特性上の優位性を著しくもたらすと同時に、弊社IGBTによる多大な電力の効率的な制御の実現という、フェアチャイルドがメーカーの技術者の方々に提供する新たな解決策です。」と、フェアチャイルド社フェローのThomas Neyerは語っています。
PCIMアジア2015での6/25（木）12:30-14:00のポスターセッションにおいて、フェアチャイルドによる以下の2つのIGBT関連の技術発表が行われます。
=「高性能で高いラッチアップ耐性を持った第4世代のフィールドストップ（FS）IGBT」（発表者：Kevin Lee
=「インダクティブ負荷スイッチングにおける小電流ターンオフ時のフィールドストップ（FS）IGBTのVCE電圧の変化に対する考察」（発表者：Rafael Lim）
フェアチャイルドの第4世代フィールドストップ（FS） IGBT製品ファミリーの詳細は、2015年第4四半期に明らかにされます。弊社の第4世代フィールドストップ（FS） IGBT技術のホワイトペーパー（技報）を含んだ、より詳しい技術・製品情報に関しては、弊社IGBT製品情報のページでご覧いただけます。
https://info.fairchildsemi.com/FY15M05-PR-IGBT_Technology_Announcement-2-IGBT_Product_Page.html
フェアチャイルドとフェアチャイルドジャパンにつきまして：
フェアチャイルドには半導体業界におけるパイオニアとしての長い歴史があり、そのパイオニア精神は、クリーンかつスマートな世界を目指した当社のビジョンの中に今日まで受け継がれています。 低～高電力ソリューションへの幅広い製品群の開発と製造に特化し、モバイル、産業機器、クラウド、自動車、照明ならびにコンピューターのエンジニアやシステム設計者の方々に卓越した設計ソリューションをお届けしています。フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社は1997年2月設立。 2015年1月より、神戸 肇が代表取締役を務めると同時に米国本社への直轄体制となりました。「Power to Amaze」に満ちたフェアチャイルドの新しいウェブサイトについては、こちらをご覧ください:http://www.fairchildsemi.co.jp
報道関係からのお問い合せ:
高瀬 健男 TEL: 03-6367-9191 携帯: 080-9297-1653 takeo.takase@fairchildsemi.com
畑 博美 TEL: 03-6367-9136 hiromi.hata@fairchildsemi.com
フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社
〒150-0013 東京都渋谷区 恵比寿 4-1-18 恵比寿ネオナート3階
以上
