1．調査期間：2011年9月～12月
2．調査対象：パワー半導体メーカ、カーエレクトロニクスメーカ、ウエハメーカ
3．調査方法：当社専門研究員による直接面談、電話・e-mailによるヒアリング、ならびに文献調査併用
＜パワー半導体とは＞
主にインバータ/コンバータ回路で使われており、電力のスイッチングや変換、モータ制御等で必要となる半導体素子である。本調査では、パワーMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）/IPD（Intelligent Power Device）やダイオード、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーモジュール、バイポーラトランジスタ、SiCデバイスを含む。
無断転載禁止
詳細プレスリリースは以下をご参照ください。
■YRIマーケットNow!
http://www.yano.co.jp/press/press.php/000903
※掲載されている情報は、発表日現在の情報です。その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご了承ください。
お問い合わせ
⇒YRIマーケットNow! の内容や引用についてのお問い合わせは下記までお願いいたします。
（株）矢野経済研究所 営業本部 広報宣伝グループ
https://www.yano.co.jp/contact/contact.php/press
⇒商品に関するお問い合わせは下記までお願いいたします。
（株）矢野経済研究所 営業本部 東京カスタマーセンター
https://www.yano.co.jp/contact/contact.php
（株）矢野経済研究所
http://www.yano.co.jp/
2．調査対象：パワー半導体メーカ、カーエレクトロニクスメーカ、ウエハメーカ
3．調査方法：当社専門研究員による直接面談、電話・e-mailによるヒアリング、ならびに文献調査併用
＜パワー半導体とは＞
主にインバータ/コンバータ回路で使われており、電力のスイッチングや変換、モータ制御等で必要となる半導体素子である。本調査では、パワーMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）/IPD（Intelligent Power Device）やダイオード、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーモジュール、バイポーラトランジスタ、SiCデバイスを含む。
無断転載禁止
詳細プレスリリースは以下をご参照ください。
■YRIマーケットNow!
http://www.yano.co.jp/press/press.php/000903
※掲載されている情報は、発表日現在の情報です。その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご了承ください。
お問い合わせ
⇒YRIマーケットNow! の内容や引用についてのお問い合わせは下記までお願いいたします。
（株）矢野経済研究所 営業本部 広報宣伝グループ
https://www.yano.co.jp/contact/contact.php/press
⇒商品に関するお問い合わせは下記までお願いいたします。
（株）矢野経済研究所 営業本部 東京カスタマーセンター
https://www.yano.co.jp/contact/contact.php
（株）矢野経済研究所
http://www.yano.co.jp/
