GaNパワー半導体デバイス、特許総合力トップ3はCREE、古河電工、パナソニック

経営分析、競合調査、特許分析の株式会社パテント・リザルト（http://www.patentresult.co.jp/）はこのほど、GaNパワー半導体デバイスについて、参入企業に関する調査結果をまとめました。従来から使われているシリコン（Si）によるパワー半導体デバイスは、耐圧が理論限界値に近付いており、これ以上の改善は難しいとされています。そのため、Siと比べ、絶縁破壊電圧が高いSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）といったワイドバンドギャップ型半導体が注目されています。これらの材料を用いることで、より電力損失を抑えることが可能になります。今回の調査では、特に「GaN」に着目しました。GaNパワー半導体デバイスはSiCと比較すると高周波特性に優れており、スイッチング電源などへの適用が考えられます。
本調査ではGaNパワー半導体デバイス関連特許を集計し、個別特許の注目度を得点化する「パテントスコア」をベースとして、特許の質と量から総合的に見た評価を行いました（2011年1月末時点のパテントスコアに基づき評価）。

その結果、「総合力ランキング（※）」では、1位 CREE、2位 古河電気工業、3位 パナソニックとなりました。

詳細はこちら↓
http://www.patentresult.co.jp/news/2011/03/gan.html

本分析の詳細については、簡易コンサルレポートBの「特定技術分野の競合分析：GaNパワー半導体デバイス」に掲載しています。

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