2011年03月02日 13:00

オン・セミコンダクターの新しいパワーMOSFETデバイスが、貴重なスペースを節約し、自動車用モジュール向けロバスト性能を提供

  • このエントリーをはてなブックマークに追加

エネルギー効率の高い電子機器のための高性能シリコン・ソリューションを提供する最先端のサプライヤーであるオン・セミコンダクター(Nasdaq: ONNN)は、小型フラットリード・パッケージに収納された6個の新しいAEC-Q101認定ロジック・レベル、シングル・チャネル、パワーMOSFETを発表しました。

これらのデバイスは、5 mm x 6 mm SO-8FLパッケージおよび3.3 mm x 3.3 mm WDFN-8パッケージに封止され、実装面積が業界標準DPAKパッケージの半分以下にも関わらず、同等以下の「オン」抵抗を達成しています。これらのデバイスは、従来のDPAKパッケージ・デバイスよりも多くの貴重なボード・スペースを節約し、燃料噴射システム、モータ制御ドライバなどの自動車アプリケーションで負荷切り替え、DC-DC変換、電力管理に最適です。


オン・セミコンダクターの新しいパワーMOSFETは、耐圧30 V、40 V、60 VのNチャネルおよびPチャネル・デバイスを組み合わせて集積しており、新しい製品デザインに幅広い選択肢を提供します。オン抵抗[RDS(on)]が非常に低いため、導通損失や電力損失が少なく、高電流能力(デバイスによって6.3 A~65 A)により、高い負荷性能を実現します。AEC-Q101認可は自動車アプリケーションに対する適合性を明確に示すものです。


NVMFS4841N(30 V、65 A、シングルNチャネル)デバイスは、SO-8FLパッケージに封止されていますが、NVTFS4823N(30 V、30 A、シングルNチャネル)、NVTFS5116PL(60 V、14 A、シングルPチャネル)、 NVTFS5811NL(40 V、40 A、シングルNチャネル)、およびNVTFS5826NL(60 V、20 A、シングルNチャネル)、およびNVTFS5820NL(60 V、29 A、シングルNチャネル)は、WDFN-8パッケージで提供されます。


オン・セミコンダクターのパワーMOSFET事業部の副社長Paul Leonard氏は、次のように語っています。「全体的なモジュール・サイズの小型化とロバスト性能の実現が、自動車エレクトロニクスにおける2つの基本的要件です。」「当社の新しいMOSFETデバイスがこれらの要件を満足し、自動車分野のお客様は貴重なPCB面積を節約したり、より小さなデザインにも強力な機能を取り入れることができます。」


オン・セミコンダクターの新しいMOSFETデバイスの単価は、1,500個注文時に0.39米ドルおよび0.60米ドルです。

詳細については、http://www.onsemi.jp/をご覧ください。


会社概要
オン・セミコンダクター(ON Semiconductor, Nasdaq: ONNN)は、エネルギー効率の高い電子機器のための高性能シリコン・ソリューションを提供する最先端のサプライヤーです。オン・セミコンダクターの電源および信号管理、ロジック、ディスクリートおよびカスタム・デバイスの広範なポートフォリオは、自動車、通信、コンピューティング、民生用、産業用、LED照明、医療、軍事/航空宇宙および電源アプリケーションにおける設計上の課題を効率的に解決するのに役立ちます。オン・セミコンダクターは、北米、ヨーロッパ、およびアジア太平洋地域の主要市場で、世界クラスの付加価値を提供するサプライ・チェーンおよび製造施設、営業所、デザイン・センターのネットワークを運営しています。詳細については、http://www.onsemi.jpをご覧ください。

※記載内容(リンク先を含む)のサービスや表現の適法性について、ドリームニュースでは関知しておらず確認しておりません。

  • IT、通信、コンピュータ技術

会社概要

商号
オン・セミコンダクター(オン・セミコンダクター)
代表者
Keith Jackson(キース・ジャクソン)
所在地
〒110-0005
東京都東京都台東区上野1-19-10 上野広小路会館ビル10階
TEL
03-5817-1050
業種
製造・メーカー(電気・電子)
上場先
その他

運営会社 プライバシーポリシー情報削除ガイドラインサイトのご利用についてサイトマップお問い合わせ

© 2007-2024 GlobalIndex Co.,Ltd. All Rights Reserved.