2011年02月09日 18:00

RFパワー半導体:シリコン、ガリウムナイトライド、ガリウムヒ素、シリコンカーバイド高出力RFデバイス

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米国の市場調査会社ABIリサーチ社が、RFパワー半導体デバイス市場(出力5ワット、周波数3.8GHz以上)を調査したレポート「RFパワー半導体:シリコン、ガリウムナイトライド、ガリウムヒ素、シリコンカーバイド高出力RFデバイス- RF Power Semiconductors: Silicon, Gallium Nitride, Gallium Arsenide, - 」を出版しました。

【調査レポート概要】
携帯電話などの無線デバイス、ラジオやテレビの放送、MRI機器などの医療用機械、レーダー、宇宙/衛星通信、警察/消防無線、軍用通信、すべてのエレクトロニクスなど、送信機回路のRFパワーアンプを利用する無数のサービスがある。これらの送信機の多くは、RFパワーアンプの出力段階で半導体を使用している。非常に高出力の放送用送信機は従来、RF部分で大きな真空管を使用してきたが、ついにソリッドステートデバイスを使用しはじめるようになった。 この調査レポートは、出力5ワット、周波数3.8GHz以上のRFパワー半導体デバイスを調査しており、現在使用されているほとんどのアプリケーションを網羅している。

【調査レポート】
RFパワー半導体:シリコン、ガリウムナイトライド、ガリウムヒ素、シリコンカーバイド高出力RFデバイス
RF Power Semiconductors
Silicon, Gallium Nitride, Gallium Arsenide, and Silicon Carbide High-Power RF Devices
http://www.dri.co.jp/auto/report/abi/abirfps11.htm

◆米国市場調査会社 ABIリサーチについて
http://www.dri.co.jp/abi/index.htm

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