NCP3125、NCP3126、およびNCP3127は、それぞれ2A、3A、4Aの連続出力電流を供給可能な集積ハイサイドおよびローサイドMOSFETを備えた、同期式パルス幅変調（PWM）スイッチング・バック・レギュレータです。これらの新しいデバイスは、集積スイッチャ向けにきわめて低いオン状態抵抗値[RDS(on)]を達成しており、高効率システム・ソリューションを実現します。NCP3125は60mΩのハイサイドMOSFETおよび36mΩローサイドMOSFETを内蔵し、90%を超えるシステム・レベルの効率を提供します。これらの新しい3個のデバイスはすべて、+5V to +12Vの入力電圧から最小0.8Vの出力電圧を生成できます。3個のデバイスにはすべてピン互換性があり、製品開発プロセスで出力電流を柔軟に増減したり、新しいデザインでクイック・リユースを可能にすることによって、製品開発プロセスをスピードアップします。これらのデバイスの動作ジャンクション温度範囲は-40～+125です。
オン・セミコンダクタのパワー・スイッチング製品担当ディレクタ、John Blake氏は次のように語っています。「これらの新しいデバイスにより、コントローラICと個別MOSFETで構成されるディスクリート・コンポーネント・ソリューションよりも高密度の電源デザインを実現できます。」「これらのデバイスは、すでに市販されている競合の集積レギュレータ製品を上回る効率を提供します。」「その結果、エンジニアリング・チームは、より小型でコンパクトな統合ソリューションで、より高い性能基準を達成する電源デザインの作成が可能になります。」「お客様が、さまざまな民生用電子製品で、新しいエネルギー効率基準に適合するようデザインの改良に取り組んでいるため、当社はこれを重要な要素と考えています。」
NCP3125、NCP3126、NCP3127デバイスは、SOIC-8パッケージで提供され、10,000個注文時の単価は0.40米ドル、0.35米ドル、および0.30米ドルです。詳細については、http://www.onsemi.jp/をご覧ください。
オン・セミコンダクタのパワー・スイッチング製品担当ディレクタ、John Blake氏は次のように語っています。「これらの新しいデバイスにより、コントローラICと個別MOSFETで構成されるディスクリート・コンポーネント・ソリューションよりも高密度の電源デザインを実現できます。」「これらのデバイスは、すでに市販されている競合の集積レギュレータ製品を上回る効率を提供します。」「その結果、エンジニアリング・チームは、より小型でコンパクトな統合ソリューションで、より高い性能基準を達成する電源デザインの作成が可能になります。」「お客様が、さまざまな民生用電子製品で、新しいエネルギー効率基準に適合するようデザインの改良に取り組んでいるため、当社はこれを重要な要素と考えています。」
NCP3125、NCP3126、NCP3127デバイスは、SOIC-8パッケージで提供され、10,000個注文時の単価は0.40米ドル、0.35米ドル、および0.30米ドルです。詳細については、http://www.onsemi.jp/をご覧ください。
